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SLM2001S

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2001S Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规（guī）认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SLM2001S是（shì）一款（kuǎn）高压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用（yòng）专有的高压集成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯片驱动方案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最（zuì）低支持3.3V逻辑。输（shū）出驱动器具有高（gāo）脉（mò）冲电流（liú）缓冲级，以减小驱动器交叉导通（tōng）。浮（fú）动通道可用于（yú）驱动高（gāo）边配置的N型沟道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品特性

为自（zì）举（jǔ）操作设（shè）计（jì）的浮动通（tōng）道（dào）

完全运（yùn）行（háng）时电（diàn）压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压（yā），不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源范（fàn）围从 10V 到 20V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱动电流（liú）：290 mA/600 mA

防止交叉（chā）导通逻辑

两通道间匹配传输（shū）延（yán）迟

输（shū）出信号与（yǔ）输入信（xìn）号同相

通过（guò）无（wú）铅认（rèn）证