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SLM2003E

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请

SLM2003E Datasheet

产品概述

产品特性

安（ān）规认（rèn）证

典型应用图

产（chǎn）品概述

SLM2003E 是一款高压、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专有的（de）高压集成电路（lù）和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯（xīn）片驱动方案。逻辑输（shū）入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流（liú）缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通（tōng）道可用（yòng）于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高（gāo）达200V。

产品（pǐn）特（tè）性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道（dào）

完全运行时电压（yā）高达 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉（chā）导通逻辑

两（liǎng）通道间（jiān）匹配（pèi）传输延迟

输出（chū）信号与（yǔ）输入（rù）信号同相（xiàng）

通过（guò）无铅认证（zhèng）