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SLM2005E

200V低（dī）压驱动芯片

样片申（shēn）请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规认（rèn）证

典型应用图（tú）

产品概述

SLM2005E 是一（yī）款高压（yā）、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采（cǎi）用专（zhuān）有的高压集成电（diàn）路和锁存免疫（yì）的（de）CMOS技术可提（tí）供可靠的单（dān）芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器（qì）具有高（gāo）脉冲电（diàn）流（liú）缓（huǎn）冲级（jí），以减小（xiǎo）驱动器交叉导通。浮动通道（dào）可用于驱（qū）动高边配置（zhì）的N型沟（gōu）道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可高（gāo）达（dá）200V。

产品特性（xìng）

为自（zì）举操作设（shè）计的浮动通道

完全运行时电压（yā）高（gāo）达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压（yā），不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电（diàn）源范（fàn）围从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容（róng）

驱动电流（liú）：1A/1.5A

防（fáng）止（zhǐ）交叉导通逻（luó）辑

两通道间（jiān）匹配传输延（yán）迟

输出（chū）信号与输入信号同（tóng）相

通过无铅认证