SLM2110是（shì）一（yī）款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高（gāo）边、低边输出驱动信号。采（cǎi）用专有的高压集成电路和锁存（cún）免疫CMOS技术，提供（gòng）可靠的单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有高脉冲电流（liú）缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导（dǎo）通。延时匹配（pèi）很方便应用于（yú）高频设（shè）备。浮（fú）动通道可（kě）用于驱动高边（biān）配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高（gāo）达（dá）600V。
为（wéi）自（zì）举供电设计的浮动通（tōng）道
全电压（yā）范围（wéi）运行（háng）达600V
允许瞬态负电压（yā），不受dV/dt影响（xiǎng）
驱动电源（yuán）范围（wéi）从10V到20V
欠压闭（bì）锁（suǒ）
3.3V、5V和15V逻辑兼容
逻辑地和功率地能承受（shòu）±5V偏置
防止交叉导（dǎo）通逻辑
输入有下拉电阻的COMS斯密（mì）特触发器
逐周期边缘触发的关闭逻辑
两通道间匹（pǐ）配传输（shū）延时
输入输出同相
典型开（kāi）通/关断延时：140ns/140ns
典型驱（qū）动电流：1A/1.6A
400 080 9938
