SLM27511器件（jiàn）是单通道高速低边门极驱动（dòng）器，可有效驱动MOSFET和IGBT等（děng）功率开（kāi）关。SLM27511采用一种能够（gòu）从内（nèi）部（bù）极（jí）大的降低直通电（diàn）流（liú）的设计，将高峰值的源电流和灌电流（liú）脉冲（chōng）提供（gòng）给电容负载，以实现轨（guǐ）到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播（bō）延迟。
SLM27511在12V的VDD供电情况下，能够提供4A的（de）峰（fēng）值源电流和5A的峰值灌电（diàn）流。
低成本的门（mén）极驱动方案（àn）可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案（àn）
4A 的峰值源电流和5A的峰值灌（guàn）电流能力
快速的（de）传输（shū）延时（典型值（zhí）为 18ns）
快（kuài）速（sù）的上升和下降时间（典（diǎn）型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠（qiàn）压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻（luó）辑电（diàn）压（yā）阈值
双输入设计(可选择（zé）反相或非反相（xiàng）驱动（dòng）配（pèi）置)
输（shū）入浮（fú）空时（shí）输出（chū）保持为低
工作温（wēn）度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装选项
400 080 9938
