SiLM27519 器件是（shì）单（dān）通道高速低（dī）边门极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开（kāi）关。SiLM27519 采用一（yī）种能够从内部极大的降低直通电流的设计，将高峰值的源（yuán）电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能力（lì）和典型（xíng）值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供（gòng）电情况下，能够提供 4A 的峰（fēng）值源电流和 5A 的（de）峰值灌电流。
低成本的门（mén）极驱动方案可（kě）用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的（de）峰（fēng）值源（yuán）电流和（hé） 5A 的峰值灌（guàn）电流能力
快速的（de）传输延时（典型值为（wéi） 18ns）
快速的上升（shēng）和下降时间（典（diǎn）型（xíng）值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁（suǒ）功（gōng）能（néng）
兼容 TTL 和（hé） CMOS 的输入逻辑电（diàn）压阈值
双（shuāng）输入设计（jì）(可选（xuǎn）择反相或非（fēi）反相驱动（dòng）配置)
输入浮（fú）空时输出保持为低
工作温度（dù）范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的（de）封装选项
400 080 9938
