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      样(yàng)片申请 | 简体中文(wén)
      SiLM2004E
      200V低(dī)压驱(qū)动芯(xīn)片(piàn)
      样片(piàn)申请
      SiLM2004E Datasheet
      产(chǎn)品概述(shù)
      产品特性
      安规认(rèn)证
      典型应用图
      产品概述

      SiLM2004E 是一款高(gāo)压、高速的功率(lǜ)MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁(suǒ)存(cún)免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最(zuì)低支持3.3V逻辑。输出驱(qū)动器(qì)具有高脉冲电流缓冲级(jí),以减小驱动器交叉导通(tōng)。浮动通道可用于(yú)驱动高边配置(zhì)的N型沟道(dào)功(gōng)率MOSFET或IGBT,工作电压可高达200V。

      产品特性

      为自举(jǔ)操作设(shè)计的浮动(dòng)通道

      完全运行时电压高达 200V

      容许(xǔ)瞬间负电(diàn)压,不受 dV/dt 影(yǐng)响

      驱动电源范围从 10V 到(dào) 18V

      欠压(yā)闭锁

      3.3V、5V逻辑(jí)输入兼容

      驱动电(diàn)流 :290 mA/600 mA

      防止交叉导通逻辑

      两通道间匹(pǐ)配传输延迟(chí)

      通(tōng)过无铅认证

      提供 SOP-8 封装选项

      典型的开通/关断(duàn)延时:680ns/125ns

      死区时间:520ns

      安规认(rèn)证
      典型应用图

      image.png

      产品参数表

      展开过滤器
      Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
      SiLM2004ECA-DGIGBT/ MOSFET0.29/0.620010 ~ 18680/12570/25520-40 ~ 125SOP8Reel/2500
      应用案例

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