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SiLM27511H

单通道（dào） 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动（dòng）器（qì）

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性

安规认证（zhèng）

典型应用图

产品概（gài）述

SiLM27511H系列是单通道高欠压保（bǎo）护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率（lǜ）开关。SiLM27511H 采用一种能（néng）够从内部极大的（de）降低直（zhí）通电流的设计，将高（gāo）峰值的源（yuán）电（diàn）流和（hé）灌电流（liú）脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能力（lì）和（hé）典型值仅为（wéi） 18ns 的极（jí）小传播延（yán）迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电（diàn）流。SiLM27511H 欠（qiàn）压锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品（pǐn）特性

低成本（běn）的门极（jí）驱（qū）动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值（zhí）源电流和（hé） 5A 的峰值灌电流能力（lì）

快速的传播延时（典（diǎn）型（xíng）值为 18ns）

快速（sù）的上（shàng）升（shēng）和下降时间（典型（xíng）值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼（jiān）容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑（jí）电（diàn）压（yā）阈值

双输入设计(可选择反相或（huò）非反相驱（qū）动配置（zhì）)

输入浮空（kōng）时输（shū）出保持为（wéi）低（dī）

工作温度范围为 -40°C 到 140°C