SiLM27512器件（jiàn）是（shì）单通道高速低边门极（jí）驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关（guān）。SiLM27512采用一种能够从内部极大（dà）的（de）降低直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨（guǐ）的（de）驱动（dòng）能力（lì）和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电情（qíng）况下，能够提供4A的（de）峰值源电（diàn）流和5A的峰值灌电流。
低成（chéng）本（běn）的（de）门极驱动方案可用于替代 NPN和（hé） PNP 分离器（qì）件方案
4A 的峰值源电流和（hé）5A的峰（fēng）值灌电流能力
快速的传（chuán）输延（yán）时（典型值为 18ns）
快速的（de）上升和（hé）下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电源（yuán）范围
VDD 欠压闭锁（suǒ）功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输（shū）入逻辑电压阈值
双输入（rù）设（shè）计(可（kě）选择反相或（huò）非反（fǎn）相驱动配置)
输入浮空时（shí）输出保持为（wéi）低
工作温度范围为（wéi） -40°C 到140°C
提（tí）供（gòng）DFN3x3-6 的封装选项
400 080 9938
