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      样片申请 | 简体中文
      SiLM27517H
      单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器
      样片申请
      SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet
      产品概述
      产品特性
      安规认证
      典型应用图
      产(chǎn)品概述

      SiLM27517H 系列是(shì)单通道高欠压保护低边门极驱(qū)动器,可有(yǒu)效驱动MOSFET和IGBT等功率开(kāi)关。SiLM27517H 采用一种能够从内部极大的降低直通电流的(de)设(shè)计(jì),将高峰值的源电流(liú)和灌电流(liú)脉冲提(tí)供给电容负载,以实现轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极(jí)小传播延迟。

      SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下,能(néng)够(gòu)提供 4A 的峰值(zhí)源(yuán)电流和 5A 的峰值灌电流(liú)。SiLM27517H 欠压(yā)锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。


      产品特性

      低成本的门极驱(qū)动方案(àn)可用于替代 NPN和(hé) PNP 分(fèn)离器件方(fāng)案

      4A的(de)峰值源电流和 5A 的峰(fēng)值灌电流能力(lì)

      快速的传(chuán)播延时(典型值(zhí)为 18ns)

      快(kuài)速(sù)的上升和下降时间(典型值为 9ns/6ns)

      13.5V 到 20V 的单电源(yuán)范围

      SiLM27517H 欠压(yā)锁(suǒ)定保护 (UVLO)12.5/11.5V

      兼(jiān)容 TTL 和 CMOS 的输入逻(luó)辑电压阈(yù)值

      双输入设计(jì)(可选择反相或非反相(xiàng)驱动(dòng)配(pèi)置)

      输入浮空(kōng)时输出(chū)保持(chí)为低

      工作温度范围为 -40°C 到(dào) 140°C

      SiLM27517H 提供 SOT23-5 的封装选项

      安规认(rèn)证
      典(diǎn)型应用图

      图层 6.png

      产品参数表

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      Part Number Power Switch IOH/IOL(A) Input VCC (V) Prop. Delay(ns) Tr/Tf Typ. (ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
      SiLM27517HAD-7GIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
      SiLM27517HAD-AQIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
      应(yīng)用案(àn)例

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